Dichte: 3,3 g/cm3 Hohe Wärmeleitfähigkeit: 170 W/mk
Hoher spezifischer Widerstand und geringer dielektrischer Verlust
20 Jahre Exporterfahrung 8 Marken 30 Patente Design & Forschung Zusammenarbeit mit Global 500-Unternehmen Zertifikate: ISO, ROHS, CE usw.
PRODUKTDETAILS
Produktbeschreibung
ALN-Keramikchip:
Aluminiumnitrid-Keramiksubstrat prädestiniert für den Einsatz in Energie- und Mikroelektronikanwendungen. Beispielsweise wird es als Schaltungsträger (Substrat) in Halbleitern oder als Kühlkörper in der LED-Beleuchtungstechnik oder Hochleistungselektronik eingesetzt.
Vorteil des TO-3-AlN-Substrats:
Aluminiumnitridkeramik hat sich zu einem idealen Material für Wärmestrahlung und -gehäuse in der Industrie für große ICs, Halbleitermodule, Hochleistungs-ICs und Hochleistungskomponenten entwickelt
Aluminiumnitridplatte:
1. Hohe Wärmeleitfähigkeit, Hochspannungsisolierung
2. Hohe Temperatur- und Feuchtigkeitsbeständigkeit
3. Gute mechanische Eigenschaften und hohe Biegefestigkeit
4. Niedrige Dielektrizitätskonstante, wirksame Entstörung des elektronischen Signals
Aluminiumnitrid-Teil:
1. Fotoelektrische Kommunikationsausrüstung
2. Hochfrequenz-Mikrowellenanwendungsgerät
3. Automobilelektronikmodul
4. Anwendungen der militärischen Elektronik in der Luft- und Raumfahrt
5.LED/Stromversorgungsmodul
Unternehmensprofil
Verpackung & Versand
Verpackungsdetails
Wir verpacken mit professioneller Exportverpackung, sicher vor Bruch, schließlich in Holzkisten/Karton/Palette oder maßgeschneiderte Verpackung. Wir haben ERPAuthentifizierung.
Lieferdetails
Wir können per Seeweg, Luft- und Schienentransport, dem China-Europe Railway Express usw. liefern.
TNT, DHL, UPS, FEDEX, EMS, SF EXPRESS usw.
Unser Dienstleistungen
Was wir für Sie tun können:
1. Musterservice
2. Optimaler Preis
3. Maßgeschneidert Logo
4. Schnelle Rückmeldung
5. Kundenspezifische Größe
6. Sicherheitspaket
7. ISO9001
8. Kundendienst
9. Geringes Beschaffungsrisiko
Produktbeschreibung
ALN-Keramikchip:
Aluminiumnitrid-Keramiksubstrat prädestiniert für den Einsatz in Energie- und Mikroelektronikanwendungen. Beispielsweise wird es als Schaltungsträger (Substrat) in Halbleitern oder als Kühlkörper in der LED-Beleuchtungstechnik oder Hochleistungselektronik eingesetzt.
Vorteil des TO-3-AlN-Substrats:
Aluminiumnitridkeramik hat sich zu einem idealen Material für Wärmestrahlung und -gehäuse in der Industrie für große ICs, Halbleitermodule, Hochleistungs-ICs und Hochleistungskomponenten entwickelt
Aluminiumnitridplatte:
1. Hohe Wärmeleitfähigkeit, Hochspannungsisolierung
2. Hohe Temperatur- und Feuchtigkeitsbeständigkeit
3. Gute mechanische Eigenschaften und hohe Biegefestigkeit
4. Niedrige Dielektrizitätskonstante, wirksame Entstörung des elektronischen Signals
Aluminiumnitrid-Teil:
1. Fotoelektrische Kommunikationsausrüstung
2. Hochfrequenz-Mikrowellenanwendungsgerät
3. Automobilelektronikmodul
4. Anwendungen der militärischen Elektronik in der Luft- und Raumfahrt
5.LED/Stromversorgungsmodul
Unternehmensprofil
Verpackung & Versand
Verpackungsdetails
Wir verpacken mit professioneller Exportverpackung, sicher vor Bruch, schließlich in Holzkisten/Karton/Palette oder maßgeschneiderte Verpackung. Wir haben ERPAuthentifizierung.
Lieferdetails
Wir können per Seeweg, Luft- und Schienentransport, dem China-Europe Railway Express usw. liefern.
Wir liefern hauptsächlich Quarzglas, Küvetten, Präzisionskeramik, poröse Keramik, Dickschichtwiderstände, Ozongeneratoren und Metallfaserfilz und bieten unsere Produkte und Dienstleistungen unseren Kunden aus mehr als 107 Ländern oder Regionen an.
